EMMI失效分析,芯片ThermalEMMI分析,宜特檢測
Thermal EMMI (InSb)
目前偵測IC失效點(diǎn)都以InGaAs、OBIRCH為主，但對于IC非破壞分析的失效點(diǎn)定位、低阻抗短路(<10ohm)和3D封裝失效點(diǎn)深度的預(yù)估分析，需另外尋求其他方法解決。
宜特科技新增Thermal EMMI(InSb)機(jī)臺(tái)，可以解決IC未開蓋的失效點(diǎn)偵測及低阻抗短路(<10ohm)的問題分析。
機(jī)臺(tái)原理是利用InSb材質(zhì)的偵測器，接收失效點(diǎn)通電后產(chǎn)生的熱輻射分布，藉此定位失效點(diǎn)位置，甚至可以利用失效點(diǎn)熱輻射傳導(dǎo)的時(shí)間差，預(yù)估3D封裝的故障點(diǎn)深度，也可以應(yīng)用在偵測TFT LCD面板及PCB/PCBA的失效分析上。
宜特在 Thermal EMMI(InSb) 機(jī)臺(tái)應(yīng)用
iST實(shí)驗(yàn)室優(yōu)勢
關(guān)于宜特：
iST始創(chuàng)于1994年的中國臺(tái)灣，主要以提供集成電路行業(yè)可靠性驗(yàn)證、失效分析、材料分析、無線認(rèn)證等技術(shù)服務(wù)。2002年進(jìn)駐上海，全球現(xiàn)已有7座實(shí)驗(yàn)室12個(gè)服務(wù)據(jù)點(diǎn)，目前已然成為深具影響力之芯片驗(yàn)證第三方實(shí)驗(yàn)室。
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